Email : sales@nbklsele.com
+86 574 86828566
English
Разъемы

Разъем для карты SD Push Pull, высота 2,75 мм, с CD-контактом KLS1-SD112

Информация о продукте: Разъем для SD-карты Push Pull, высота 2,75 мм, с CD-контактом. Материал: Корпус: высокотемпературный термопластик. Контакты: медный сплав. Оболочка: медный сплав, позолоченные выводы для пайки, никель по всей поверхности. Покрытие: Контактная область: позолоченная поверх никеля. Вывод для пайки: 30 мкм (мин.) с покрытием из олова поверх никеля. Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5 А. Номинальное напряжение: 250 В (среднеквадратичное значение). Сопротивление контакта: 40 мОм. Диэлектрическое выдерживаемое напряжение: 500 В переменного тока. Сопротивление изоляции: 100 МОм...

Разъем для SD-карты Reverse MID MOUNT 1,75 мм, DIP с CD Pin KLS1-SD003

Информация о продукте Разъем для SD-карты Reverse MID MOUNT 1,75 мм, DIP с CD Pin. Материал: Корпус: ЖК-дисплей S475, UL94V-0. Черный. Корпус: нержавеющая сталь SUS304. Контакты: медный сплав C5210. Отделка: Контакты: позолоченные в контактной зоне. Матовое олово толщиной 100 мкм в области пайки. Общая толщина никелевого покрытия 50 мкм. Корпус: общая толщина никелевого покрытия 30 мкм. Артикул Описание ШТ/КОР. Вес (кг) Куб. м3. ЗаказКол-во. Время заказа.

Разъем для карты SD Push Pull, высота 2,8 мм, с CD-контактом KLS1-SD002

Информация о продукте Разъем для SD-карты Push Pull, H2.8 мм, с CD-контактом. Материал: Корпус: ЖК-полимерный полимер, UL94V-0. Черный. Клемма: C5191R-EH T=0.20, контактная изоляция, Ni 40u" min, припой 80u. Контакт WP: C5191R-EH T=0.20, контактная изоляция, Ni 40u" min, припой 80u. Контакт CD: C5191R-EH T=0.20, контактная изоляция, Ni 40u" min, припой 80u. Корпус: C2680-H, T=0.20, Ni 40u" min. Электрические характеристики: Номинальный ток контакта: 0.5 А. Выдерживаемое напряжение диэлектрика: AC500 В rms. Сопротивление изоляции...

Разъем для карты SD Push Push, высота 2,8 мм, с CD-контактом KLS1-SD-001 / KLS1-SD-101

Информация о продукте Разъем для карты SD Push Push, высота 2,8 мм, с контактом CD Материал: Изолятор: высокотемпературный термопластик, UL94V-0. Контакты: медные сплавы. Покрытие 50 мкм Ni в целом. Покрытие селективной контактной области золотом, покрытие 100 мкм Sn поверх Ni в области пайки. Корпус: Покрытие 50 мкм Ni в целом. Электрические характеристики: Номинальное напряжение: 125 В переменного/постоянного тока. Номинальный ток: 0,5 мА переменного/постоянного тока. Диапазон влажности окружающей среды: 95 % отн. влажности. Максимальное сопротивление контакта: 100 мОм. Максимальное сопротивление изоляции: 1000 МОм.

Разъем для карт 5 в 1, H4.3 мм KLS1-MUT51-001

Информация о продукте Разъем для платы 5 в 1, высота 4,3 мм Материал изолятора: высокотемпературный пластик, UL94V-0, цвет: черный Клемма: медный сплав, селективное золотое напыление на контактной площадке и 50 мкм минимальное никелевое покрытие по всей поверхности Корпус: нержавеющая сталь, 50 мкм полное никелевое покрытие, золотое напыление на паяльной площадке Электрическое сопротивление изоляции: не менее 1000 Ом при постоянном токе 500 В постоянного тока Выдерживаемое напряжение: 250 В переменного тока среднеквадратичное значение в течение 1 минуты Контактное сопротивление: 100 мОм макс. при 10 мА/20 мВ ...

Разъем для карты Micro SD Push Pull, H1.5mm KLS1-TF-011-H1.5-R

Информация о продукте Разъем для карты Micro SD Push Pull, H1.5 мм Артикул Описание Шт./кор. Вес (кг) Куб. м (м3) Количество Время заказа

Разъем для карты памяти Micro SD 4.0 Push Push, высота 1,3 мм KLS1-SD4.0-003

Информация о продукте Разъем для карты памяти Micro SD 4.0 Push Push, высота 1,3 мм. Материал: Изолятор: термопластик, покрытый UL94V-0. Контакты: фосфористая бронза. Корпус: нержавеющая сталь. Покрытие контактов: нижняя пластина: никель 50–100 мкм. Площадь контакта: золото. Площадь выводов для пайки: олово 100–200 мкм. Электрические характеристики: Рабочее напряжение: 10 В. Номинальный ток: 0,5 А. Мин. сопротивление контакта: 100 мОм. Макс. сопротивление изоляции: 1000 МОм. Выдерживаемое напряжение диэлектрика: 500 В переменного тока/1 мин...

Разъем для карты Micro SD 4.0 Push Push KLS1-SD4.0-004

Информация о продукте: Разъём для карты памяти Micro SD 4.0, нажимной, нажимной. Материал: Пластик: ЖК-полимер, термопластик UL94V-0, чёрный. Контакты: медный сплав. Корпус: нержавеющая сталь. Покрытие: контактная область: золото 3 мкм, поверх никеля 50 мкм. Площадь припоя: матовое олово 80 мкм, мин., поверх никеля 50 мкм. Паяемость: поверх никеля 50 мкм. Номер детали. Описание: шт./кор. Вес (кг) куб. м (м3) Количество. Время заказа.

Разъем для карты Micro SD Push Push, высота 1,28 мм, с CD-контактом KLS1-SD113

Информация о продукте Разъем для карты памяти Micro SD Push Push, высота 1,28 мм, с контактом CD Материал: Изолятор: высокотемпературный термопластик LCP SZ6505, UL94V-0, черный. Контакты: бериллиевая медь (7035-TM06, толщина = 0,15 мм), покрытие 80 мкм минимум Ni, покрытие 1 мкм минимум Au поверх Ni в области пайки. Корпус: SUS301-3/4H толщина = 0,10 мм. Покрытие выводов пайки 1 мкм минимум Au, покрытие 50 мкм минимум Ni. Электрические характеристики: Номинальный ток: макс. 0,5 А переменного/постоянного тока. Номинальное напряжение: 12 В переменного/постоянного тока. Диапазон влажности окружающей среды: относительная влажность 95% ...

Разъем для карты Micro SD Push Push, высота 1,68 мм, с CD-контактом KLS1-SD114

Информация о продукте Разъем для карты памяти Micro SD Push Push, высота 1,68 мм, с CD-контактом. Материал: Изолятор: высокотемпературный пластик, UL94V-0, черный. Клеммы: медный сплав, позолоченные контакты и припой. Корпус: нержавеющая сталь, никелированное покрытие по всей поверхности, позолоченные припойные контакты. Электрические характеристики: Сопротивление изоляции: 1000 МОм мин./500 В постоянного тока. Выдерживаемое напряжение: 250 В переменного тока/мин. Сопротивление контактов: 100 мОм макс. при 20 мА/20 мВ. Максимальный ток: 0,5 А. Напряжение...

Разъем для карты Micro SD Push Push, высота 1,85 мм, нормально открытый KLS1-SD107

Информация о продукте Разъем для карты Micro SD Push Push, H1.85 мм, Нормально открытый Электрические: Номинальный ток контакта: 0,5 А Максимальное сопротивление контакта: 100 мОм Максимальное сопротивление изоляции: 250 В постоянного тока или 300 В переменного тока не менее 1 минуты Износостойкость соединения: 10000 циклов Минимальное усилие вставки: 2,0 кгс макс. Усилие извлечения: 0,5 кгс мин. Рабочая температура: -25ºC ~ +85ºC Номер детали Описание ШТ./КОР. Вес (кг) Куб. м3 ЗаказКол-во Время заказа

Разъем для карты Micro SD Push Pull, высота 1,5 мм, с CD-контактом KLS1-SD104

Информация о продукте Разъем для карты Micro SD Push Pull, высота 1,5 мм, с контактом CD Примечания: Копланарность. Для всех паяных хвостовиков и паяных площадок макс. 0,1 мм. Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5 А макс. Напряжение: 100 В постоянного тока макс. Сопротивление контакта низкого уровня: 100 мОм макс. Начальное. Выдерживаемое напряжение диэлектрика: 500 В переменного тока мин. В течение 1 минуты. Сопротивление изоляции: (начальное) 1000 МОм мин. (конечное) 100 МОм мин. Рабочая температура: от -45ºC до +105ºC Долговечность...

Двойной разъем для SIM-карты, PUSH PULL, высота 3,0 мм KLS1-SIM2-002A

Информация о продукте Двойной разъем для SIM-карты, двухтактный, высота 3,0 мм Материал: Корпус: высокотемпературный пластик, UL94V-0, черный. Клемма: медный сплав Корпус: нержавеющая сталь Отделка: Клемма: золотое покрытие на контактной площадке, матовое лужение на припойных выводах с покрытием из никеля Корпус: золотое покрытие на припойных выводах с покрытием из никеля Электрические характеристики: Контактное сопротивление: 50 мОм Максимальное выдерживаемое напряжение: 350 В переменного тока (среднеквадратичное значение) в течение 1 минуты Сопротивление изоляции: 1000 МОм...

Разъем для карт Micro SIM и SD 2 в 1, 8 контактов, высота 2,26 мм KLS1-SIM-109

Информация о продукте: разъем для карт Micro SIM и SD 2 в 1, 8 контактов, высота 2,26 мм. Материал: Изолятор: высокотемпературный термопластик, UL94V-0, черный. Клеммы: медный сплав, позолота в контактной зоне 1 мкм, позолота в зоне пайки 1 мкм. Верхняя часть корпуса: нержавеющая сталь, никелевое покрытие 50 мкм. Нижняя часть корпуса: SUS304 R-1/2H T=0,10 мм, никелевое покрытие 50 мкм. Электрические характеристики: усилие вставки 1 кгс, максимальное усилие извлечения 0,1 кгс, минимальное. Долговечность: SIM-карта 5000 циклов, сопротивление контактов: до тестирования 8...

Двойной разъем для SIM-карты, Push-PULL, высота 3,0 мм KLS1-SIM-033

Информация о продукте: Двойной разъем для SIM-карт, двухтактный, высота 3,0 мм. Материал: Корпус: термостойкий пластик, UL94V-0, черный. Клеммы: медный сплав. Позолоченные контакты и никелевое покрытие толщиной 50 мкм по всей поверхности. Корпус: нержавеющая сталь. Никелевое покрытие толщиной 50 мкм по всей поверхности, золотое покрытие на контактной площадке. Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5 А. Номинальное напряжение: 5,0 В (среднеквадратичное значение). Сопротивление изоляции: не менее 1000 МОм при постоянном токе 500 В. Выдерживаемое напряжение: 250 В переменного тока (среднеквадратичное значение) в течение 1 ...

2 в 1 SIM-карта + разъем Micro SD, PUSH PULL, высота 2,7 мм KLS1-SIM-024

Информация о продукте 2 в 1 SIM-карта + разъем Micro SD, PUSH PULL, H2.7mm Электрические: Напряжение: 100 В переменного тока Ток: 0,5 А Максимальное сопротивление контакта: 100 мОм Максимальное выдерживаемое напряжение диэлектрика: 500 В переменного тока Сопротивление изоляции: 1000 МОм Мин. механические: Усилие извлечения карты: 13,8 Н Максимальная сила нажатия: 19,6 Н Максимальная долговечность: 10000 циклов. Рабочая температура: -45ºC ~ +85ºC Номер детали Описание ШТ./КОР. Вес (кг) куб. м (м3) Количество в заказе Время...

Разъем для карты Nano SIM; Push-PULL, 6 контактов, высота 1,40 мм KLS1-SIM-113

Информация о продукте Разъем для карты Nano SIM; Push Pull, 6 контактов, высота 1,40 мм Материал: Изолятор: ЖК-полимерный, UL94V-0. Контакты: C5210. Покрытие 50 мкм Ni в целом, все контакты Au 1u. Корпус: нержавеющая сталь, покрытие 50 мкм Ni в целом, подкладка Au 1u. Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5 А переменного/постоянного тока макс. Номинальное напряжение: 30 В переменного/постоянного тока Сопротивление контактов: 30 мОм макс. Сопротивление изоляции: 1000 МОм мин. Рабочая температура: от -45ºC до +85ºC Номер детали Описание Штук/кор. Вес брутто (кг) куб. м (м3) Количество в заказе...

Разъем для карты Nano SIM, PUSH PUSH, 6 контактов, высота 1,37 мм, с разъемом CD KLS1-SIM-066

Информация о продукте Разъем для карты Nano SIM, PUSH PUSH, 6 контактов, высота 1,37 мм, с контактом CD Материал: Изолятор: высокотемпературный термопластик, UL94V-0. Контакты: медный сплав, покрытие 50u" Ni в целом, подкладка Au 1u". Корпус: нержавеющая сталь. Все Ni 30U/мин. Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5 А Номинальное напряжение: 5 В переменного/постоянного тока Сопротивление контактов: 100 мОм Макс. Сопротивление изоляции: 1000 МОм Мин./500 В постоянного тока Рабочая температура: от -45ºC до +85ºC Номер детали Описание шт./кор.

Разъем для карты Nano SIM, PUSH PUSH, 6 контактов, высота 1,25 мм, с разъемом CD KLS1-SIM-103

Информация о продукте Разъем для карты Nano SIM, PUSH PUSH, 6 контактов, H1.25 мм, с CD-контактом Материал: Контакты: медный сплав, золото на никеле. Корпус: стеклонаполненный ЖК-дисплей. Оболочка: нержавеющая сталь, золото на никеле. Рамка заземления: медный сплав, золото на никеле. Переключатель обнаружения: медный сплав, золото на никеле. Ползунок: стеклонаполненный Pa10t. Пружина: нержавеющая сталь. Крючок: нержавеющая сталь. Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5 А Макс. Номинальное напряжение: 30 В переменного тока Сопротивление контактов: 100 мОм Макс. Сопротивление изоляции: 1000 МОм Мин./500 В постоянного тока Диэлектрик...

Разъем для карты Nano SIM, лотковый, 6-контактный, высота 1,55 мм, с CD-контактом KLS1-SIM-104

Информация о продукте Разъем для карты Nano SIM, лоткового типа, 6 контактов, высота 1,55 мм, с контактом CD Электрические характеристики: Номинальный ток: 1 А/контакт макс. Напряжение: 30 В пост. тока макс. Сопротивление контакта низкого уровня: 30 мОм макс. Начальное. Выдерживаемое напряжение диэлектрика: 500 В переменного тока мин. В течение 1 минуты. Сопротивление изоляции: 100 МОм мин. 500 В постоянного тока в течение 1 минуты. Срок службы: 1500 циклов. Рабочая температура: -45ºC ~ +85ºC Номер детали Описание ШТ./КОР. Вес (кг) куб. м (м3) Количество в заказе Время или...

Разъем для карты Nano SIM, лотковый, 6-контактный, высота 1,5 мм, с CD-контактом KLS1-SIM-102

Информация о продукте Разъем для карты Nano SIM, лоткового типа, 6 контактов, высота 1,5 мм, с контактом CD Электрические характеристики: Номинальный ток: 1 А/контакт макс. Напряжение: 30 В постоянного тока макс. Сопротивление контакта низкого уровня: 30 мОм макс. Начальное. Выдерживаемое напряжение диэлектрика: 500 В переменного тока мин. В течение 1 минуты. Сопротивление изоляции: 100 МОм мин. 500 В постоянного тока в течение 1 минуты. Срок службы: 1000 циклов. Рабочая температура: -45ºC ~ +85ºC Номер детали Описание ШТ./КОР. Вес (кг) куб. м (м3) Количество для заказа Время заказа...

Разъем для карты Nano SIM; тип MID Mount Tray, 6 контактов, высота 1,5 мм, с CD-контактом KLS1-SIM-100

Информация о продукте: Разъем для карты Nano SIM; MID-крепление, лоток, 6 контактов, высота 1,5 мм, с CD-контактом. Материал: Пластик: ЖК-полимерный пластик, UL94V-0, черный. Контакты: C5210. Корпус: SUS304. Лоток: ЖК-полимерный пластик, UL94V-0, черный. Покрытие: Контакты: Контактная область: G/F покрытие; Область пайки: 80 мкм. Корпус: Покрытие поверх 30 мкм Ni. Возможность пайки. 30 мкм Ni покрытие по всей поверхности. Копланарность контактов и выводов должна быть 0,10 мм. Номер детали. Описание. Штук/кор. Вес (кг) куб. м (м3). Количество. Время заказа.

Разъем для карты Nano SIM, 6 контактов, высота 1,4 мм, шарнирного типа, с CD-контактом KLS1-SIM-101

Информация о продукте: Разъем для карты Nano SIM, 6 контактов, высота 1,4 мм, шарнирного типа, с CD-контактом. Материал: Корпус: высокотемпературный термопластик, UL94V-0, черный. Клеммы: медный сплав, позолота на контактной площадке и выводах под пайку, никель по всей поверхности. Корпус: нержавеющая сталь, позолота на выводах под пайку, никель по всей поверхности. Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5 А Макс. Номинальное напряжение: 30 В переменного тока Сопротивление контактов: 100 мОм Макс. Сопротивление изоляции: 1000 МОм Мин./500 В...

Разъем для карты Nano SIM, 6 контактов, высота 1,4 мм, шарнирного типа, с CD-контактом KLS1-SIM-077A

Информация о продукте Разъем для карты Nano SIM, 6-контактный, H1,4 мм, шарнирного типа, с CD-контактом Материал: Изолятор: высокотемпературный термопластик, UL94V-0. Контакты: медный сплав, покрытый 50u" Ni Общий контакт: все Au 1U. Корпус: SUS. Все Ni 30U MIN. Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5 А AC/DC MAX. Номинальное напряжение: 125 В AC/DC Диапазон влажности окружающей среды: 95% RH. Максимальное сопротивление контакта: 80 мОм Максимальное сопротивление изоляции: 100 МОм Мин./100 В DC Циклы сопряжения: 5000 подключений. Эксплуатация ...
<< < Предыдущая27282930313233Далее >>> Страница 30 / 55
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.