Разъем для карты Micro SD, шарнирного типа, высота 1,9 мм KLS1-TF-017
Информация о продукте: разъем для карты Micro SD, шарнирного типа, высота 1,9 мм. Материал: Изолятор: высокотемпературный термопластик, огнестойкость UL94V-0, черный. Контакты: медные сплавы. Покрытие: нержавеющая сталь. Покрытие контактной площадки: золото с никелевым припоем. Копланарность выводов должна быть в пределах 0,10 макс. Номер детали. Описание: шт./кор. Вес (кг) куб. м (м3) Количество. Время заказа.
Разъем для карты Micro SD Push Push, высота 1,4 мм, с CD-контактом KLS1-TF-016
Информация о продукте Разъем для карты Micro SD Push Push, H1.4 мм, с контактом CD Примечания: 1. Спецификация копланарности для всех припоев высотой и контактной площадки 0,10 мм 2. Электрические характеристики: 2-1. Номинальный ток: 0,5 А макс. 2-2. Напряжение: 100 В постоянного тока макс. 2-3. Сопротивление контакта низкого уровня: 100 мОм макс. 2-4. Выдерживаемое напряжение диэлектрика: 500 В переменного тока (среднеквадратичное значение). 2-5. Сопротивление изоляции: 1000 МОм мин. (конечное) 100 МОм мин. 3. Механические характеристики: 3-1. Долговечность: 5000 циклов. 3-2. Эксплуатационные ...
Разъем для карты памяти Micro SD Push Pull, высота 1,42 мм, с CD-контактом KLS1-TF-015
Информация о продукте Разъем для карты Micro SD Push Pull, высота 1,42 мм, с контактом CD Материал: металлический корпус: нержавеющая сталь, никель в целом 50u" Корпус: жидкокристаллический полимер, UL94V-0
Разъем для карты Micro SD без нажатия, высота 1,8 мм KLS1-TF-014
Информация о продукте Разъем для карты Micro SD без нажатия, высота 1,8 мм Материал: Корпус: ЖК-пластик, UL94V-0, черный. Клеммы: медный сплав, селективное золото на контактной площадке. Корпус: железо Электрические характеристики: Номинальное напряжение: 5 В Номинальный ток: 0,5 А Максимальное сопротивление контакта: 100 мОм Максимальное сопротивление изоляции: 1000 МОм Минимальное выдерживаемое напряжение: 500 В 1 минуту. Долговечность: 10000 циклов. Номер детали Описание ШТ/КОР. Вес (кг) Куб. м3 ЗаказКол-во Время заказа
Разъем для карты Micro SD Push Push, высота 1,4 мм, с CD-контактом KLS1-TF-012
Информация о продукте Разъем для карты памяти Micro SD Push Push, высота 1,4 мм, с контактом CD Материал: Изолятор: высокотемпературный термопластик, UL94V-0. Клемма: медный сплав, общее покрытие 50 мкм Ni. Покрытие селективной контактной области золотом. Покрытие 100 мкм Sn поверх Ni в области пайки. Корпус: общее покрытие 50 мкм Ni. Покрытие селективной контактной области золотом Электрические характеристики: Номинальный ток: макс. 0,5 А переменного/постоянного тока. Номинальное напряжение: 125 В переменного/постоянного тока. Диапазон влажности окружающей среды: 95 % относительной влажности. Максимальное сопротивление контакта: 100 мОм...
Разъем для карты Micro SD; шарнирного типа, высота 1,5 мм и высота 1,8 мм KLS1-TF-007
Информация о продукте: Карта памяти Micro SD, шарнирного типа, высота 1,5 мм и 1,8 мм. Материал: Изолятор: высокотемпературный пластик, UL94V-0, черный. Клеммы: медный сплав. Покрытие всех контактных зон клемм (AU) и лужение на паяных выводах. Корпус: нержавеющая сталь. Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5 А. Номинальное напряжение: 5,0 В (среднеквадратичное значение). Сопротивление изоляции: мин. 1000 МОм/500 В постоянного тока. Выдерживаемое напряжение: 250 В переменного тока в течение 1 минуты. Сопротивление контактов: макс. 100 мОм при 10 мА/макс. 20 мВ.
Разъем для карты памяти Micro SD Mid Mount Push Push, высота 1,0 мм, с контактом CD KLS1-TF-003E
Информация о продукте Разъем для карты памяти Micro SD Mid Mount Push Push, высота 1,0 мм, с контактом CD Материал: Корпус: высокотемпературный термопластик, UL94V-0
Разъем для карты Micro SD Push Push, высота 1,85 мм, с CD-контактом KLS1-TF-003D
Информация о продукте Разъем для карты памяти Micro SD Push Push, высота 1,85 мм, с контактом CD Материал: Изолятор: высокотемпературный термопластик, ЖК-полимер, UL94V-0. Контакты: медный сплав T = 0,15, общее покрытие 50 мкм Ni. Покрытие Au селективной контактной области. Покрытие 30–70 мкм Sn поверх Ni в области пайки. Корпус: T = 0,15, общее покрытие 30 мкм Ni мин. Покрытие Au селективной контактной области 0,5 мкм Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5 мА макс. Номинальное напряжение: 3,3 В Диапазон влажности окружающей среды: 95% отн. влажн.
Разъем для карты памяти Micro SD Push Push, высота 1,85 мм, с контактом CD, ЗОЛОТОЙ KLS1-TF-003C
Информация о продукте Разъем для карты Micro SD Push Push, высота 1,85 мм, с CD-контактом, золото Материал: Изолятор: высокотемпературный термопластик, ЖК-полимер, UL94V-0. Контакты: медный сплав T = 0,15, общее покрытие 50 мкм Ni. Покрытие селективной контактной области золотом. Покрытие 30–70 мкм Sn поверх Ni в области пайки. Корпус: T = 0,15, общее покрытие 30 мкм Ni. Покрытие селективной контактной области золотом 0,5 мкм. Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5 мА переменного/постоянного тока. Номинальное напряжение: 125 В переменного/постоянного тока. Влажность окружающей среды...
Разъем для карты памяти Micro SD Mid Mount Push Push, высота 1,0 мм, с CD-контактом KLS1-TF-003A
Информация о продукте Разъем для карты памяти Micro SD Mid Mount Push Push, высота 1,0 мм, с контактом CD Материал: Изолятор: высокотемпературный термопластик, UL94V-0. Контакты: медный сплав, общее покрытие 50 мкм Ni. Покрытие селективной контактной области золотом. Покрытие 100 мкм Sn поверх Ni в области пайки. Корпус: общее покрытие 50 мкм Ni. Покрытие селективной контактной области золотом 1 мкм. Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5 мА переменного/постоянного тока. Номинальное напряжение: 125 В переменного/постоянного тока. Диапазон влажности окружающей среды: 95% относительной влажности. Макс. контакт...
Разъем для карты Micro SD Push Push, высота 1,85 мм, с CD-контактом KLS1-TF-003
Информация о продукте Разъем для карты Micro SD Push Push, высота 1,85 мм, с контактом CD Материал: Изолятор: высокотемпературный термопластик, UL94V-0. Контакты: медный сплав T = 0,15, общее покрытие 50 мкм Ni. Покрытие Au селективной контактной области. Покрытие 30–70 мкм Sn поверх Ni в области пайки. Корпус: T = 0,15, общее покрытие 30 мкм Ni, мин. Покрытие Au селективной контактной области 0,5 мкм Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5 А Номинальное напряжение: 3,3 В Диапазон влажности окружающей среды: 95 % отн. влажн. Макс. контакт...
Разъем для карты Micro SD; шарнирного типа, высота 1,9 мм KLS1-TF-002
Информация о продукте Разъем для карты TF 1,1 ммМатериал: Материал корпуса: LCP UL94V-0Материал контактов: оловянная бронзаУпаковка: упаковка в виде ленты и катушкиЭлектрические характеристики:Номинальное напряжение: 100 В переменного токаНоминальный ток: 0,5 А (макс.Выдерживаемое напряжение: 200 В переменного тока/1 минутаСопротивление изоляции: ≥1000 МОмСопротивление контактов: ≤30 МОмСрок службы:
Разъем для карты Micro SD Push Push, высота 1,85 мм, нормально закрытый KLS1-TF-001
Информация о продукте Разъем для карты Micro SD Push Push, высота 1,85 мм, нормально закрытый Материал: Корпус: высокотемпературный термопластик, UL94V-0
Разъем для SIM-карты 6P, PUSHPULL, высота 2,2 мм, высота 2,7 мм, высота 2,9 мм KLS1-SIM-015
Информация о продукте 6P разъем для SIM-карты, нажимной, рулонная упаковка, высота 2,0 мм, высота 2,2 мм, высота 2,7 мм, высота 2,9 мм Информация о заказе: KLS1-SIM-015-6P-H2.7 Контакты: 6 контактов Высота: высота 2,0 мм, высота 2,2 мм, высота 2,7 мм, высота 2,9 мм Материал: Корпус: высокотемпературный пластик, UL94V-0, черный. Клеммы: медный сплав (толщина = 0,15 мм), позолоченный никель. Вилка: медный сплав (толщина = 0,20 мм), луженый никель. Электрические характеристики: Номинальный ток: макс. 1,0 А. Сопротивление контактов: макс. 30 мОм. Выдерживаемое напряжение диэлектрика: 500 В переменного тока (среднеквадратичное значение) в течение одной минуты...
Разъем для SIM-карты 6P, шарнирного типа, высота 1,9 мм KLS1-SIM-019
Информация о продукте: 6-контактный разъем для SIM-карты, шарнирного типа, высота 1,9 мм. Информация о заказе: KLS1-SIM-019-6P-RPin: 6pinsR = рулонная упаковка. Материал: Корпус: ЖК-дисплей, UL94V-0, черный. Клеммы: C5210R-EH T=0,15 мм. Корпус: нержавеющая сталь SUS304R-1/2H, T=0,20 мм. Рабочая температура: -45ºC~+105ºC. Номер детали. Описание. Штук/кор. Вес (кг). Куб. м3. Количество в заказе. Время заказа.
Разъем для SIM-карты 6P, шарнирного типа, высота 1,8 мм KLS1-SIM-018A
Информация о продукте 6P разъем для SIM-карты шарнирного типа, H1.8 мм Информация о заказе: KLS1-SIM-018A-6P-H1.8-RPins: 6pinsH1.8=Высота 1.8 ммR=Упаковка в рулоне ПРИМЕЧАНИЯ: 1.0 НОМИНАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ. 1.1 НАПРЯЖЕНИЕ: 12 В переменного тока (среднеквадратичное значение) 1.2 ТОК: 1 А МАКС. НА КОНТАКТ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ: 2.1 СОПРОТИВЛЕНИЕ КОНТАКТА: 60 МОм 2.2 СОПРОТИВЛЕНИЕ ИЗОЛЯЦИИ: 1000 МОм 2.3 ВЫДЕРЖИВАЕМОЕ НАПРЯЖЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСТВА: 500 В переменного тока в течение 1 минуты 3.0 СРОК СЛУЖБЫ: 5000 ЦИКЛОВ 4.0 Рабочая температура: -45ºC~+105ºC...
Разъем для SIM-карты 6P и 8P, шарнирного типа, высота 2,8 мм KLS1-SIM-010
Информация о продукте Разъем для SIM-карты 6P и 8P шарнирного типа, высота 2,8 мм Информация о заказе: KLS1-SIM-010-6P-1-RPin: 6-контактный, 8-контактный 0 = со штифтом 1 = без штифта R = рулонная упаковка T = упаковка в трубке Материал: Материал корпуса: LCP UL94V-0 Материал контактов: бронза Площадь контакта: 3u" золото Площадь пайки: 100u" олово Упаковка: лента и катушка Электрические характеристики: Номинальное напряжение: 100 В переменного тока Номинальный ток: 3,0 А макс. Выдерживаемое напряжение: 500 В переменного тока / 1 минута Сопротивление изоляции: ≥5000 МОм ...
Разъем для SIM-карты 6P и 8P, шарнирного типа, высота 2,5 мм KLS1-SIM-010A
Изображения продукта Информация о продукте Разъем для SIM-карты 6P и 8P, шарнирного типа, H2.5 мм Информация о заказе: KLS1-SIM-010A-H2.5-6P-1-R Контакты: 6-контактный, 8-контактный 0 = со штифтом 1 = без штифта R = рулонная упаковка Материал: Корпус изолятора: ЖК-панель. Цвет: черный Контакты: фосфорная бронза Покрытие: Отделка: оловянное золото или дуплексное покрытие. Стандарт: золотое 3u" по всему никелю Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5 А. Выдерживаемое напряжение диэлектрика: 500 В переменного тока Сопротивление изоляции: 1000 МОм Минимальное сопротивление контакта: 30 мОм Макс. срок службы: 10000 циклов...