Email : sales@nbklsele.com
+86 574 86828566
English
Разъемы для карт памяти

Разъем для карты Micro SD без нажатия, высота 1,8 мм KLS1-TF-014

Информация о продукте Разъем для карты Micro SD без нажатия, высота 1,8 мм Материал: Корпус: ЖК-пластик, UL94V-0, черный. Клеммы: медный сплав, селективное золото на контактной площадке. Корпус: железо Электрические характеристики: Номинальное напряжение: 5 В Номинальный ток: 0,5 А Максимальное сопротивление контакта: 100 мОм Максимальное сопротивление изоляции: 1000 МОм Минимальное выдерживаемое напряжение: 500 В 1 минуту. Долговечность: 10000 циклов. Номер детали Описание ШТ/КОР. Вес (кг) Куб. м3 ЗаказКол-во Время заказа

Разъем для карты Micro SD Push Push, высота 1,4 мм, с CD-контактом KLS1-TF-012

Информация о продукте Разъем для карты памяти Micro SD Push Push, высота 1,4 мм, с контактом CD Материал: Изолятор: высокотемпературный термопластик, UL94V-0. Клемма: медный сплав, общее покрытие 50 мкм Ni. Покрытие селективной контактной области золотом. Покрытие 100 мкм Sn поверх Ni в области пайки. Корпус: общее покрытие 50 мкм Ni. Покрытие селективной контактной области золотом Электрические характеристики: Номинальный ток: макс. 0,5 А переменного/постоянного тока. Номинальное напряжение: 125 В переменного/постоянного тока. Диапазон влажности окружающей среды: 95 % относительной влажности. Максимальное сопротивление контакта: 100 мОм...

Разъем для карты Micro SD; шарнирного типа, высота 1,5 мм и высота 1,8 мм KLS1-TF-007

Информация о продукте: Карта памяти Micro SD, шарнирного типа, высота 1,5 мм и 1,8 мм. Материал: Изолятор: высокотемпературный пластик, UL94V-0, черный. Клеммы: медный сплав. Покрытие всех контактных зон клемм (AU) и лужение на паяных выводах. Корпус: нержавеющая сталь. Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5 А. Номинальное напряжение: 5,0 В (среднеквадратичное значение). Сопротивление изоляции: мин. 1000 МОм/500 В постоянного тока. Выдерживаемое напряжение: 250 В переменного тока в течение 1 минуты. Сопротивление контактов: макс. 100 мОм при 10 мА/макс. 20 мВ.

Разъем для карты памяти Micro SD Mid Mount Push Push, высота 1,0 мм, с контактом CD KLS1-TF-003E

Информация о продукте Разъем для карты памяти Micro SD Mid Mount Push Push, высота 1,0 мм, с контактом CD Материал: Корпус: высокотемпературный термопластик, UL94V-0

Разъем для карты памяти Micro SD Push Push, высота 1,85 мм, с CD-контактом KLS1-TF-003D

Информация о продукте Разъем для карты памяти Micro SD Push Push, высота 1,85 мм, с контактом CD Материал: Изолятор: высокотемпературный термопластик, ЖКП, UL94V-0. Контакты: медный сплав T = 0,15, общее покрытие 50 мкм Ni. Покрытие Au селективной контактной области. Покрытие 30–70 мкм Sn поверх Ni в области пайки. Корпус: T = 0,15, общее покрытие 30 мкм Ni мин. Покрытие Au селективной контактной области 0,5 мкм Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5 мА макс. Номинальное напряжение: 3,3 В Диапазон влажности окружающей среды: 95% отн. влажн.

Разъем для карты памяти Micro SD Push Push, высота 1,85 мм, с контактом CD, ЗОЛОТОЙ KLS1-TF-003C

Информация о продукте Разъем для карты Micro SD Push Push, высота 1,85 мм, с CD-контактом, золото Материал: Изолятор: высокотемпературный термопластик, ЖК-полимер, UL94V-0. Контакты: медный сплав T = 0,15, общее покрытие 50 мкм Ni. Покрытие селективной контактной области золотом. Покрытие 30–70 мкм Sn поверх Ni в области пайки. Корпус: T = 0,15, общее покрытие 30 мкм Ni. Покрытие селективной контактной области золотом 0,5 мкм. Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5 мА переменного/постоянного тока. Номинальное напряжение: 125 В переменного/постоянного тока. Влажность окружающей среды...

Разъем для карты памяти Micro SD Mid Mount Push Push, высота 1,0 мм, с CD-контактом KLS1-TF-003A

Информация о продукте Разъем для карты памяти Micro SD Mid Mount Push Push, высота 1,0 мм, с контактом CD Материал: Изолятор: высокотемпературный термопластик, UL94V-0. Контакты: медный сплав, общее покрытие 50 мкм Ni. Покрытие селективной контактной области золотом. Покрытие 100 мкм Sn поверх Ni в области пайки. Корпус: общее покрытие 50 мкм Ni. Покрытие селективной контактной области золотом 1 мкм. Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5 мА переменного/постоянного тока. Номинальное напряжение: 125 В переменного/постоянного тока. Диапазон влажности окружающей среды: 95% относительной влажности. Макс. контакт...

Разъем для карты Micro SD Push Push, высота 1,85 мм, с CD-контактом KLS1-TF-003

Информация о продукте Разъем для карты Micro SD Push Push, высота 1,85 мм, с контактом CD Материал: Изолятор: высокотемпературный термопластик, UL94V-0. Контакты: медный сплав T = 0,15, общее покрытие 50 мкм Ni. Покрытие Au селективной контактной области. Покрытие 30–70 мкм Sn поверх Ni в области пайки. Корпус: T = 0,15, общее покрытие 30 мкм Ni, мин. Покрытие Au селективной контактной области 0,5 мкм Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5 А Номинальное напряжение: 3,3 В Диапазон влажности окружающей среды: 95 % отн. влажн. Макс. контакт...

Разъем для карты Micro SD; шарнирного типа, высота 1,9 мм KLS1-TF-002

Информация о продукте Разъем для карты TF 1,1 ммМатериал: Материал корпуса: LCP UL94V-0Материал контактов: оловянная бронзаУпаковка: упаковка в виде ленты и катушкиЭлектрические характеристики:Номинальное напряжение: 100 В переменного токаНоминальный ток: 0,5 А (макс.Выдерживаемое напряжение: 200 В переменного тока/1 минутаСопротивление изоляции: ≥1000 МОмСопротивление контактов: ≤30 МОмСрок службы:

Разъем для карты памяти Micro SD Push Push, высота 1,85 мм, нормально закрытый KLS1-TF-001B

Информация о продукте Разъем для карты Micro SD Push Push, высота 1,85 мм, нормально закрытый Материал: Корпус: ЖК-дисплей, UL94V-0

Разъем для карты Micro SD Push Push, высота 1,85 мм, нормально закрытый KLS1-TF-001

Информация о продукте Разъем для карты Micro SD Push Push, высота 1,85 мм, нормально закрытый Материал: Корпус: высокотемпературный термопластик, UL94V-0
<< < Предыдущая12
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.