Email : sales@nbklsele.com
+86 574 86828566
English
Продукты

Разъем для карты Micro SD 4.0 Push Push KLS1-SD4.0-004

Информация о продукте: Разъём для карты памяти Micro SD 4.0, нажимной, нажимной. Материал: Пластик: ЖК-полимер, термопластик UL94V-0, чёрный. Контакты: медный сплав. Корпус: нержавеющая сталь. Покрытие: контактная область: золото 3 мкм, поверх никеля 50 мкм. Площадь припоя: матовое олово 80 мкм, мин., поверх никеля 50 мкм. Паяемость: поверх никеля 50 мкм. Номер детали. Описание: шт./кор. Вес (кг) куб. м (м3) Количество. Время заказа.

Разъем для карты Micro SD Push Push, высота 1,28 мм, с CD-контактом KLS1-SD113

Информация о продукте Разъем для карты памяти Micro SD Push Push, высота 1,28 мм, с контактом CD Материал: Изолятор: высокотемпературный термопластик LCP SZ6505, UL94V-0, черный. Контакты: бериллиевая медь (7035-TM06, толщина = 0,15 мм), покрытие 80 мкм минимум Ni, покрытие 1 мкм минимум Au поверх Ni в области пайки. Корпус: SUS301-3/4H толщина = 0,10 мм. Покрытие выводов пайки 1 мкм минимум Au, покрытие 50 мкм минимум Ni. Электрические характеристики: Номинальный ток: макс. 0,5 А переменного/постоянного тока. Номинальное напряжение: 12 В переменного/постоянного тока. Диапазон влажности окружающей среды: относительная влажность 95% ...

Разъем для карты Micro SD Push Push, высота 1,68 мм, с CD-контактом KLS1-SD114

Информация о продукте Разъем для карты памяти Micro SD Push Push, высота 1,68 мм, с CD-контактом. Материал: Изолятор: высокотемпературный пластик, UL94V-0, черный. Клеммы: медный сплав, позолоченные контакты и припой. Корпус: нержавеющая сталь, никелированное покрытие по всей поверхности, позолоченные припойные контакты. Электрические характеристики: Сопротивление изоляции: 1000 МОм мин./500 В постоянного тока. Выдерживаемое напряжение: 250 В переменного тока/мин. Сопротивление контактов: 100 мОм макс. при 20 мА/20 мВ. Максимальный ток: 0,5 А. Напряжение...

Разъем для карты Micro SD Push Push, высота 1,85 мм, нормально открытый KLS1-SD107

Информация о продукте Разъем для карты Micro SD Push Push, H1.85 мм, Нормально открытый Электрические: Номинальный ток контакта: 0,5 А Максимальное сопротивление контакта: 100 мОм Максимальное сопротивление изоляции: 250 В постоянного тока или 300 В переменного тока не менее 1 минуты Износостойкость соединения: 10000 циклов Минимальное усилие вставки: 2,0 кгс макс. Усилие извлечения: 0,5 кгс мин. Рабочая температура: -25ºC ~ +85ºC Номер детали Описание ШТ./КОР. Вес (кг) Куб. м3 ЗаказКол-во Время заказа

Разъем для карты Micro SD Push Pull, высота 1,5 мм, с CD-контактом KLS1-SD104

Информация о продукте Разъем для карты Micro SD Push Pull, высота 1,5 мм, с контактом CD Примечания: Копланарность. Для всех паяных хвостовиков и паяных площадок макс. 0,1 мм. Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5 А макс. Напряжение: 100 В постоянного тока макс. Сопротивление контакта низкого уровня: 100 мОм макс. Начальное. Выдерживаемое напряжение диэлектрика: 500 В переменного тока мин. В течение 1 минуты. Сопротивление изоляции: (начальное) 1000 МОм мин. (конечное) 100 МОм мин. Рабочая температура: от -45ºC до +105ºC Долговечность...

Двойной разъем для SIM-карты, PUSH PULL, высота 3,0 мм KLS1-SIM2-002A

Информация о продукте Двойной разъем для SIM-карты, двухтактный, высота 3,0 мм Материал: Корпус: высокотемпературный пластик, UL94V-0, черный. Клемма: медный сплав Корпус: нержавеющая сталь Отделка: Клемма: золотое покрытие на контактной площадке, матовое лужение на припойных выводах с покрытием из никеля Корпус: золотое покрытие на припойных выводах с покрытием из никеля Электрические характеристики: Контактное сопротивление: 50 мОм Максимальное выдерживаемое напряжение: 350 В переменного тока (среднеквадратичное значение) в течение 1 минуты Сопротивление изоляции: 1000 МОм...

Разъем для карт Micro SIM и SD 2 в 1, 8 контактов, высота 2,26 мм KLS1-SIM-109

Информация о продукте: разъем для карт Micro SIM и SD 2 в 1, 8 контактов, высота 2,26 мм. Материал: Изолятор: высокотемпературный термопластик, UL94V-0, черный. Клеммы: медный сплав, позолота в контактной зоне 1 мкм, позолота в зоне пайки 1 мкм. Верхняя часть корпуса: нержавеющая сталь, никелевое покрытие 50 мкм. Нижняя часть корпуса: SUS304 R-1/2H T=0,10 мм, никелевое покрытие 50 мкм. Электрические характеристики: усилие вставки 1 кгс, максимальное усилие извлечения 0,1 кгс, минимальное. Долговечность: SIM-карта 5000 циклов, сопротивление контактов: до тестирования 8...

Двойной разъем для SIM-карты, Push-PULL, высота 3,0 мм KLS1-SIM-033

Информация о продукте: Двойной разъем для SIM-карт, двухтактный, высота 3,0 мм. Материал: Корпус: термостойкий пластик, UL94V-0, черный. Клеммы: медный сплав. Позолоченные контакты и никелевое покрытие толщиной 50 мкм по всей поверхности. Корпус: нержавеющая сталь. Никелевое покрытие толщиной 50 мкм по всей поверхности, золотое покрытие на контактной площадке. Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5 А. Номинальное напряжение: 5,0 В (среднеквадратичное значение). Сопротивление изоляции: не менее 1000 МОм при постоянном токе 500 В. Выдерживаемое напряжение: 250 В переменного тока (среднеквадратичное значение) в течение 1 ...

2 в 1 SIM-карта + разъем Micro SD, PUSH PULL, высота 2,7 мм KLS1-SIM-024

Информация о продукте 2 в 1 SIM-карта + разъем Micro SD, PUSH PULL, H2.7mm Электрические: Напряжение: 100 В переменного тока Ток: 0,5 А Максимальное сопротивление контакта: 100 мОм Максимальное выдерживаемое напряжение диэлектрика: 500 В переменного тока Сопротивление изоляции: 1000 МОм Мин. механические: Усилие извлечения карты: 13,8 Н Максимальная сила нажатия: 19,6 Н Максимальная долговечность: 10000 циклов. Рабочая температура: -45ºC ~ +85ºC Номер детали Описание ШТ./КОР. Вес (кг) куб. м (м3) Количество в заказе Время...

Разъем для карты Nano SIM; Push-PULL, 6 контактов, высота 1,40 мм KLS1-SIM-113

Информация о продукте Разъем для карты Nano SIM; Push Pull, 6 контактов, высота 1,40 мм Материал: Изолятор: ЖК-полимерный, UL94V-0. Контакты: C5210. Покрытие 50 мкм Ni в целом, все контакты Au 1u. Корпус: нержавеющая сталь, покрытие 50 мкм Ni в целом, подкладка Au 1u. Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5 А переменного/постоянного тока макс. Номинальное напряжение: 30 В переменного/постоянного тока Сопротивление контактов: 30 мОм макс. Сопротивление изоляции: 1000 МОм мин. Рабочая температура: от -45ºC до +85ºC Номер детали Описание Штук/кор. Вес брутто (кг) куб. м (м3) Количество в заказе...

Разъем для карты Nano SIM, PUSH PUSH, 6 контактов, высота 1,37 мм, с разъемом CD KLS1-SIM-066

Информация о продукте Разъем для карты Nano SIM, PUSH PUSH, 6 контактов, высота 1,37 мм, с контактом CD Материал: Изолятор: высокотемпературный термопластик, UL94V-0. Контакты: медный сплав, покрытие 50u" Ni в целом, подкладка Au 1u". Корпус: нержавеющая сталь. Все Ni 30U/мин. Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5 А Номинальное напряжение: 5 В переменного/постоянного тока Сопротивление контактов: 100 мОм Макс. Сопротивление изоляции: 1000 МОм Мин./500 В постоянного тока Рабочая температура: от -45ºC до +85ºC Номер детали Описание шт./кор.

Разъем для карты Nano SIM, PUSH PUSH, 6 контактов, высота 1,25 мм, с разъемом CD KLS1-SIM-103

Информация о продукте Разъем для карты Nano SIM, PUSH PUSH, 6 контактов, H1.25 мм, с CD-контактом Материал: Контакты: медный сплав, золото на никеле. Корпус: стеклонаполненный ЖК-дисплей. Оболочка: нержавеющая сталь, золото на никеле. Рамка заземления: медный сплав, золото на никеле. Переключатель обнаружения: медный сплав, золото на никеле. Ползунок: стеклонаполненный Pa10t. Пружина: нержавеющая сталь. Крючок: нержавеющая сталь. Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5 А Макс. Номинальное напряжение: 30 В переменного тока Сопротивление контактов: 100 мОм Макс. Сопротивление изоляции: 1000 МОм Мин./500 В постоянного тока Диэлектрик...

Разъем для карты Nano SIM, лотковый, 6-контактный, высота 1,55 мм, с CD-контактом KLS1-SIM-104

Информация о продукте Разъем для карты Nano SIM, лоткового типа, 6 контактов, высота 1,55 мм, с контактом CD Электрические характеристики: Номинальный ток: 1 А/контакт макс. Напряжение: 30 В пост. тока макс. Сопротивление контакта низкого уровня: 30 мОм макс. Начальное. Выдерживаемое напряжение диэлектрика: 500 В переменного тока мин. В течение 1 минуты. Сопротивление изоляции: 100 МОм мин. 500 В постоянного тока в течение 1 минуты. Срок службы: 1500 циклов. Рабочая температура: -45ºC ~ +85ºC Номер детали Описание ШТ./КОР. Вес (кг) куб. м (м3) Количество в заказе Время или...

Разъем для карты Nano SIM, лотковый, 6-контактный, высота 1,5 мм, с CD-контактом KLS1-SIM-102

Информация о продукте Разъем для карты Nano SIM, лоткового типа, 6 контактов, высота 1,5 мм, с контактом CD Электрические характеристики: Номинальный ток: 1 А/контакт макс. Напряжение: 30 В постоянного тока макс. Сопротивление контакта низкого уровня: 30 мОм макс. Начальное. Выдерживаемое напряжение диэлектрика: 500 В переменного тока мин. В течение 1 минуты. Сопротивление изоляции: 100 МОм мин. 500 В постоянного тока в течение 1 минуты. Срок службы: 1000 циклов. Рабочая температура: -45ºC ~ +85ºC Номер детали Описание ШТ./КОР. Вес (кг) куб. м (м3) Количество для заказа Время заказа...

Разъем для карты Nano SIM; тип MID Mount Tray, 6 контактов, высота 1,5 мм, с CD-контактом KLS1-SIM-100

Информация о продукте: Разъем для карты Nano SIM; MID-крепление, лоток, 6 контактов, высота 1,5 мм, с CD-контактом. Материал: Пластик: ЖК-полимерный пластик, UL94V-0, черный. Контакты: C5210. Корпус: SUS304. Лоток: ЖК-полимерный пластик, UL94V-0, черный. Покрытие: Контакты: Контактная область: G/F покрытие; Область пайки: 80 мкм. Корпус: Покрытие поверх 30 мкм Ni. Возможность пайки. 30 мкм Ni покрытие по всей поверхности. Копланарность контактов и выводов должна быть 0,10 мм. Номер детали. Описание. Штук/кор. Вес (кг) куб. м (м3). Количество. Время заказа.

Разъем для карты Nano SIM, 6 контактов, высота 1,4 мм, шарнирного типа, с CD-контактом KLS1-SIM-101

Информация о продукте: Разъем для карты Nano SIM, 6 контактов, высота 1,4 мм, шарнирного типа, с CD-контактом. Материал: Корпус: высокотемпературный термопластик, UL94V-0, черный. Клеммы: медный сплав, позолота на контактной площадке и выводах под пайку, никель по всей поверхности. Корпус: нержавеющая сталь, позолота на выводах под пайку, никель по всей поверхности. Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5 А Макс. Номинальное напряжение: 30 В переменного тока Сопротивление контактов: 100 мОм Макс. Сопротивление изоляции: 1000 МОм Мин./500 В...

Разъем для карты Nano SIM, 6 контактов, высота 1,4 мм, шарнирного типа, с CD-контактом KLS1-SIM-077A

Информация о продукте Разъем для карты Nano SIM, 6-контактный, H1,4 мм, шарнирного типа, с CD-контактом Материал: Изолятор: высокотемпературный термопластик, UL94V-0. Контакты: медный сплав, покрытый 50u" Ni Общий контакт: все Au 1U. Корпус: SUS. Все Ni 30U MIN. Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5 А AC/DC MAX. Номинальное напряжение: 125 В AC/DC Диапазон влажности окружающей среды: 95% RH. Максимальное сопротивление контакта: 80 мОм Максимальное сопротивление изоляции: 100 МОм Мин./100 В DC Циклы сопряжения: 5000 подключений. Эксплуатация ...

Разъем для карты Nano SIM, 6 контактов, высота 1,4 мм, шарнирного типа, без разъема CD KLS1-SIM-077

Информация о продукте Разъем для карты Nano SIM, 6 контактов, высота 1,4 мм, шарнирного типа, без контакта CD Материал: Изолятор: высокотемпературный термопластик, UL94V-0. Контакты: C5210, покрытый 50u" Ni Общий контакт: все Au 1U. Корпус: нержавеющая сталь, все Ni 30U/мин. Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5 А Номинальное напряжение: 5 В переменного/постоянного тока Диапазон влажности окружающей среды: 95% отн. влажности Макс. сопротивление контакта: 80 мОм Макс. сопротивление изоляции: 100 МОм Мин./100 В постоянного тока Циклы сопряжения: 10000 подключений. Рабочая температура: -45...

Разъем для карты Nano SIM, двухтактный, 6-контактный, высота 1,4 мм, с разъемом CD KLS1-SIM-092

Информация о продукте Разъем для карты Nano SIM, двухтактный, 6 контактов, высота 1,4 мм, с контактом CD Материал: Корпус: термопластик высокой температуры, UL94V-0, черный. Клеммы: медный сплав, селективное 1u" золотое покрытие на контактной площадке. Корпус: нержавеющая сталь, селективное золотое напыление на пайке. Электрические характеристики: номинальный ток: 0,5 А, макс. номинальное напряжение: 30 В переменного тока, контактное сопротивление: 100 мОм, макс. сопротивление изоляции: 1000 МОм, мин./500 В постоянного тока, выдерживаемое напряжение диэлектрика: 500 В переменного тока/минута. Долговечность: 5000...

Разъем для карты Nano SIM; Push-PULL, 6 контактов, высота 1,35 мм KLS1-SIM-076

Информация о продукте Разъем для карты Nano SIM; Push Pull, 6 контактов, высота 1,35 мм Материал: Изолятор: высокотемпературный термопластик, UL94V-0. Контакты: C5210. Покрытие 50 мкм Ni в целом, все контакты Au 1u. Корпус: SUS, покрытие 50 мкм Ni в целом, PAD Au 1u. Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5 А переменного/постоянного тока макс. Номинальное напряжение: 125 В переменного/постоянного тока Сопротивление контактов: 100 мОм Макс. Сопротивление изоляции: 1000 МОм Мин. 500 В постоянного тока Рабочая температура: от -45ºC до +85ºC Номер детали Описание...

Разъем для карты Micro SIM, 8-контактный, высота 1,5 мм, шарнирного типа KLS1-SIM-089

Информация о продукте Разъем для карты Micro SIM, 8 контактов, высота 1,5 мм, шарнирного типа. Материал корпуса: термопластик, UL94V-0. Терминалы: фосфористая бронза, T=0,15, никелированная нижняя часть, покрытие Au на контактной площадке, луженое покрытие на паяном выводе. Корпус: нержавеющая сталь, T=0,15, никелированная нижняя часть, луженое покрытие на паяном выводе. Сопротивление электрического контакта: 60 мОм. Макс. сопротивление изоляции: 1000 МОм. Мин. выдерживаемое напряжение диэлектрика: 500 В переменного тока в течение 1 минуты. Долговечность: 5000 циклов. Рабочая температура: ...

Разъем для карты Micro SIM, 6-контактный, высота 1,8 мм, шарнирного типа KLS1-SIM-072

Информация о продукте Разъем для карты Micro SIM, 6 контактов, высота 1,8 мм, шарнирного типа Материал: Корпус: ЖК-пластик, UL94V-0, черный. Клеммы: медный сплав. Корпус: нержавеющая сталь. Электрические характеристики: Номинальный ток: 1 А Макс. Номинальное напряжение: 30 В постоянного тока макс. Сопротивление контактов: 30 мОм Макс. Сопротивление изоляции: 1000 МОм Мин. Диэлектрическое напряжение: 500 В эфф./мин. Долговечность: 5000 циклов. Рабочая температура: -45ºC ~ +85ºC Номер детали Описание ШТ./КОР. Вес (кг) Куб. м (м3) Количество в заказе ...

Разъем для карты Micro SIM, 6-контактный, высота 1,5 мм, лотковый тип KLS1-SIM-075

Информация о продукте: Разъем для карты Micro SIM, 6 контактов, высота 1,5 мм, лотковый тип. Материал: Изолятор: высокотемпературный пластик, UL94V-0, черный. Клеммы: медный сплав. Покрытие всех выводов золотом, Aad 50u" мин. никелевое покрытие по всей поверхности. Корпус: никелевое покрытие 50u" по всей поверхности, золотое покрытие на контактной площадке. Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5 А. Номинальное напряжение: 5,0 В (среднеквадратичное значение). Сопротивление изоляции: 1000 МОм мин./500 В постоянного тока. Выдерживаемое напряжение: 250 В переменного тока (среднеквадратичное значение) в течение 1 минуты...

Разъем для карты Micro SIM, 6-контактный, Push-Pull, высота 1,5 мм KLS1-SIM-099

Информация о продукте Разъем для карты Micro SIM, 6-контактный, двухтактный, высота 1,5 мм. Материал корпуса: термопластик, UL94V-0. Терминалы: медный сплав, позолота на контактных площадках и выводах под пайку, полное никелирование. Корпус: нержавеющая сталь, полное никелирование, позолота на выводах под пайку. Электрические характеристики: Номинальный ток: макс. 1,0 А. Сопротивление контактов: макс. 30 мОм. Выдерживаемое напряжение диэлектрика: 500 В переменного тока. Сопротивление изоляции: мин. 1000 МОм/500 В постоянного тока. Рабочая температура: от -45ºC до +8...
<< < Предыдущая254255256257258259260Далее >>> Страница 257 / 281
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.