Разъем Nano SIM-карты, тип лотка, 6-контактный, H1,5 мм, с разъемом для компакт-диска KLS1-SIM-102
Пожалуйста, загрузите информацию в формате PDF:
Информация о продукте
Теги продукта
Изображения продукта
Информация о товаре
Разъем Nano SIM-карты, тип лотка, 6 контактов, высота 1,5 мм, с разъемом для компакт-диска
Электрический:
Текущий рейтинг: 1 Amp/Pin.MAX.
Напряжение: 30 В постоянного тока. Макс.
Контактное сопротивление низкого уровня: макс. 30 мОм. Первоначально.
Диэлектрическое выдерживаемое напряжение: 500 В переменного тока МИН. В течение 1 минуты.
Сопротивление изоляции: 100 МОм мин. 500 В постоянного тока. В течение 1 минуты.
Долговечность: 1000 циклов.
Рабочая температура: -45ºC~+85ºC
Рабочая температура: -45ºC~+85ºC