Email : sales@nbklsele.com
+86 574 86828566
English
Продукт

Разъем для карты Micro SD, шарнирного типа, высота 1,9 мм, KLS1-TF-017

Изображения продукта Информация о продукте Разъем для карты Micro SD Шарнирного типа, H1.9 мм Материал: Изолятор: Высокотемпературный термопластик, огнестойкость, UL94V-0, черный. Контакты: Медные сплавы Покрытие: Нержавеющая сталь Покрытие контактной области: Золото с никелевым припоем Копланарность выводов должна быть в пределах 0,10 макс.

Разъем для карты Micro SD Push Push, высота 1,4 мм, с CD-контактом KLS1-TF-016

Изображения продукта Информация о продукте Разъем для карты Micro SD Push Push, H1.4 мм, с контактом CD Примечания: 1. Спецификация копланарности для всех припоев высотой и контактной площадки 0,10 мм 2. Электрические характеристики: 2-1. Номинальный ток: 0,5 А макс. 2-2. Напряжение: 100 В постоянного тока макс. 2-3. Сопротивление контакта низкого уровня: 100 мОм макс. 2-4. Выдерживаемое напряжение диэлектрика: 500 В переменного тока (среднеквадратичное значение). 2-5. Сопротивление изоляции: 1000 МОм мин. (конечное) 100 МОм мин. 3. Механические характеристики: 3-1. Долговечность: 5000 циклов. 3-2. Рабочая температура: -45ºC~+105ºC ...

Разъем для карты памяти Micro SD Push Pull, высота 1,42 мм, с CD-контактом KLS1-TF-015

Изображения продукта Информация о продукте Разъем для карты Micro SD Push Pull, H1.42 мм, с контактом CD Материал: Металлический корпус: нержавеющая сталь, никель в целом 50u" Корпус: жидкокристаллический полимер, UL94V-0, черный. Контактные клеммы: фосфористая бронза. Контакты: золотое напыление; паяный хвост: золото 1u" мин. Вывод обнаружения: фосфористая бронза. Контакты: золотое напыление; паяный хвост: золото 1u" мин. Вывод переключателя: фосфористая бронза. Контакты: золотое напыление; паяный хвост: золото 1u" мин.

Разъем для карты Micro SD Push Pull, H1.8 мм KLS1-TF-014

Изображения продукта Информация о продукте Разъем для карты Micro SD Push Pull, высота 1,8 мм, рулонная упаковка. Материал: Корпус: ЖК-пластик, UL94V-0, черный. Клеммы: медный сплав, селективное золото на контактной площадке. Корпус: железо Электрические характеристики: Номинальное напряжение: 5 В Номинальный ток: 0,5 А Максимальное сопротивление контакта: 100 мОм Максимальное сопротивление изоляции: 1000 МОм Минимальное выдерживаемое напряжение: 500 В в течение 1 минуты. Долговечность: 10000 циклов.

Разъем для карты Micro SD Push Push, высота 1,4 мм, с CD-контактом KLS1-TF-012

Изображения продукта Информация о продукте Разъем для карты памяти Micro SD Push Push, высота 1,4 мм, с контактом CD Материал: Изолятор: высокотемпературный термопластик, UL94V-0. Клемма: медный сплав, общее покрытие 50 мкм Ni. Покрытие селективной контактной области золотом. Покрытие 100 мкм Sn поверх Ni в области пайки. Корпус: общее покрытие 50 мкм Ni. Покрытие селективной контактной области золотом Электрические характеристики: Номинальный ток: макс. 0,5 А переменного/постоянного тока. Номинальное напряжение: 125 В переменного/постоянного тока Диапазон влажности окружающей среды: 95 % относительной влажности. Максимальное сопротивление контакта: 100 мОм. Макс. ...

Разъем для карты Micro SD; шарнирного типа, высота 1,5 мм и высота 1,8 мм KLS1-TF-007

Изображения продукта Информация о продукте Разъем для карты Micro SD; шарнирного типа, высота 1,5 мм и высота 1,8 мм Материал: Изолятор: высокотемпературный пластик, UL94V-0. Черный. Клемма: медный сплав. Покрытие AU на всех контактных площадках клемм и лужение на паяных выводах. Корпус: нержавеющая сталь. Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5 А Номинальное напряжение: 5,0 В (среднеквадратичное значение) Сопротивление изоляции: 1000 МОм мин./500 В постоянного тока Выдерживаемое напряжение: 250 В переменного тока в течение 1 минуты. Сопротивление контактов: 100 мОм макс. при 10 мА/20 мВ Максимальная рабочая температура: -45ºC~...

Разъем для карты памяти Micro SD Mid Mount Push Push, высота 1,8 мм, с контактом CD KLS1-TF-003E

Изображения продукта Информация о продукте Разъем для карты памяти Micro SD Mid Mount Push Push, высота 1,8 мм, с контактом CD Материал: Корпус: высокотемпературный термопластик, UL94V-0, черный. Клемма: медный сплав. Оболочка: нержавеющая сталь. Контакты: площадь контакта: Au G/F, площадь пайки: матовое олово 80 мкм мин.; под пластиной Ni 30 мкм мин. по всей площади. Вывод CD: площадь контакта: Au G/F, под пластиной Ni 30 мкм мин. по всей площади. Электрические характеристики: номинальный ток: 1,0 А номинальное напряжение: 30 В контактное сопротивление 50 мОм макс. сопротивление изоляции: 100...

Разъем для карты Micro SD Push Push, высота 1,85 мм, с CD-контактом KLS1-TF-003D

Изображения продукта Информация о продукте Разъем для карты Micro SD Push Push, высота 1,85 мм, с контактом CD Материал: Изолятор: высокотемпературный термопластик, ЖКП, UL94V-0. Контакты: медный сплав T = 0,15, общее покрытие 50 мкм Ni. Покрытие Au селективной контактной области Покрытие 30 мкм - 70 мкм Sn поверх Ni на области пайки. Корпус: T = 0,15, общее покрытие 30 мкм Ni мин. Покрытие 0,5 мкм Au селективной контактной области Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5 мА ампер. Номинальное напряжение: 3,3 В Диапазон влажности окружающей среды: 95 % отн. влажн. Макс. со...

Разъем для карты памяти Micro SD Push Push, высота 1,85 мм, с контактом CD, ЗОЛОТОЙ KLS1-TF-003C

Изображения продукта Информация о продукте Разъем для карты Micro SD Push Push, высота 1,85 мм, с контактом CD, золото Материал: Изолятор: высокотемпературный термопластик, ЖКП, UL94V-0. Контакты: медный сплав T = 0,15, общее покрытие 50 мкм Ni. Покрытие селективной контактной области золотом Покрытие 30–70 мкм Sn поверх Ni в области пайки. Корпус: T = 0,15, минимальное покрытие 30 мкм Ni. Покрытие селективной контактной области золотом 0,5 мкм. Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5 мА переменного/постоянного тока. Номинальное напряжение: 125 В переменного/постоянного тока Диапазон влажности окружающей среды...

Разъем для карты памяти Micro SD Mid Mount Push Push, высота 1,8 мм, с CD-контактом KLS1-TF-003A

Изображения продукта Информация о продукте Разъем для карты памяти Micro SD Mid Mount Push Push, высота 1,8 мм, с контактом CD Материал: Изолятор: высокотемпературный термопластик, UL94V-0. Контакты: медный сплав, общее покрытие 50 мкм Ni. Покрытие селективной контактной области золотом. Покрытие 100 мкм Sn поверх Ni в области пайки. Корпус: общее покрытие 50 мкм Ni. Покрытие селективной контактной области золотом 1 мкм. Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5 мА переменного/постоянного тока. Номинальное напряжение: 125 В переменного/постоянного тока Диапазон влажности окружающей среды: 95 % отн. влажн. Макс. сопротивление контакта...

Разъем для карты Micro SD Push Push, высота 1,85 мм, с CD-контактом KLS1-TF-003

Изображения продукта Информация о продукте Разъем для карты Micro SD Push Push, высота 1,85 мм, с контактом CD Материал: Изолятор: высокотемпературный термопластик, UL94V-0. Контакты: медный сплав T = 0,15, общее покрытие 50 мкм Ni. Покрытие Au селективной контактной области Покрытие 30 мкм - 70 мкм Sn поверх Ni в области пайки. Корпус: T = 0,15, общее покрытие 30 мкм Ni, мин. Покрытие Au селективной контактной области 0,5 мкм Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5 А Номинальное напряжение: 3,3 В Диапазон влажности окружающей среды: 95 % отн. влажн. Макс. сопротивление контакта...

Разъем для карты Micro SD; шарнирного типа, высота 1,9 мм KLS1-TF-002

Изображения продукта Информация о продукте Разъем для карты Micro SD; шарнирного типа, высота 1,9 мм Материал: Материал корпуса: ЖК-полимерный UL94V-0 Материал контактов: оловянная бронза Упаковка: ленточная и катушечная упаковка Электрические характеристики: Номинальное напряжение: 100 В переменного тока Номинальный ток: 0,5 А (макс. выдерживаемое напряжение: 200 В переменного тока/1 минута Сопротивление изоляции: ≥1000 МОм Сопротивление контактов: ≤30 МОм Срок службы: ＞5000 циклов Рабочая температура: -45ºC ~ +105ºC

Разъем для карты памяти Micro SD Push Push, высота 1,85 мм, нормально закрытый KLS1-TF-001B

Изображения продукта Информация о продукте Разъем для карты Micro SD Push Push, высота 1,85 мм, нормально закрытый Материал: Корпус: ЖК-полимерный полимер UL94V-0, черный. Контакты: фосфористая бронза. Корпус: SUS304. Электрические: Сопротивление контакта: 100 мОм Макс. Выдерживаемое напряжение диэлектрика: 500 В переменного тока макс. в течение 1 минуты. Сопротивление изоляции: 1000 МОм Мин. Номинальный ток: 0,5 мА переменного/постоянного тока макс. Номинальное напряжение: 100 В RMS Мин. Усилие соединения: 13,8 Н Макс. Усилие рассоединения: 13,8 Н Мин. Сила сопротивления контакта: 100 г мин. на контакт. Рабочая температура: -45ºC~+...

Разъем для карты Micro SD Push Push, высота 1,85 мм, нормально закрытый KLS1-TF-001

Изображения продукта Информация о продукте Разъем для карты Micro SD Push Push, высота 1,85 мм, нормально закрытый Материал: Корпус: высокотемпературный термопластик, UL94V-0, черный. Контакты: медный сплав. Оболочка: нержавеющая сталь, никель. Рычаг: нержавеющая сталь, никель. Пружина: рояльная проволока, никель. Покрытие: нижняя пластина: никель. Контактная поверхность: золото поверх никеля. Область пайки: олово поверх никеля.

Двойной разъем для SIM-карты, PUSH PULL, высота 3,0 мм KLS1-SIM2-002A

Изображения продукта Информация о продукте Двойной разъем для SIM-карты, нажимной, высота 3,0 мм Материал: Корпус: высокотемпературный пластик, UL94V-0. черный. Клемма: медный сплав Корпус: нержавеющая сталь Отделка: Клемма: золотое покрытие на контактной площадке, матовое лужение на припойных выводах с покрытием из никеля Корпус: золотое покрытие на припойных выводах с покрытием из никеля Электрические характеристики: Контактное сопротивление: 50 мОм Максимальное выдерживаемое напряжение: 350 В переменного тока (среднеквадратичное значение) в течение 1 минуты Сопротивление изоляции: 1000 МОм ...

Разъем для карт Micro SIM и SD 2 в 1, 8 контактов, высота 2,26 мм KLS1-SIM-109

Изображения продукта Информация о продукте Разъем для карт Micro SIM и SD 2 в 1, 8 контактов, высота 2,26 мм Материал: Изолятор: высокотемпературный термопластик, UL94V-0. Черный. Терминалы: медный сплав, позолота в контактной зоне 1u”, позолота в области пайки 1u”. Верхняя часть корпуса: нержавеющая сталь, никелевое покрытие 50u”. Нижняя часть корпуса: SUS304 R-1/2H T=0,10 мм, никелевое покрытие 50u”. Электрические характеристики: усилие вставки 1 кгс макс. усилие извлечения 0,1 кгс мин. Долговечность: SIM 5000 циклов, сопротивление контактов: до тестирования 80 мОм макс., после...

Двойной разъем для SIM-карты, Push-PULL, высота 3,0 мм KLS1-SIM-033

Изображения продукта Информация о продукте Двойной разъем для SIM-карт, двухтактный, высота 3,0 мм Материал: Корпус: термостойкий пластик, UL94V-0, черный. Клеммы: медный сплав. Позолоченные контакты и 50-микронное никелевое покрытие по всей поверхности. Корпус: нержавеющая сталь. Позолоченные контакты толщиной 50 микродюймов по всей поверхности, золотое покрытие на контактной площадке. Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5 А. Номинальное напряжение: 5,0 В (среднеквадратичное значение). Сопротивление изоляции: не менее 1000 МОм при постоянном токе 500 В. Выдерживаемое напряжение: 250 В переменного тока (среднеквадратичное значение) в течение 1 минуты. Контакты...

2 в 1 SIM-карта + разъем Micro SD, PUSH PULL, высота 2,7 мм KLS1-SIM-024

Изображения продукта Информация о продукте 2 в 1 SIM-карта + разъем Micro SD, PUSH PULL, H2.7mm Электрические: Напряжение: 100 В переменного тока Ток: 0,5 А Максимальное сопротивление контакта: 100 мОм Максимальное выдерживаемое напряжение диэлектрика: 500 В переменного тока. Сопротивление изоляции: 1000 МОм Минимальные механические: Усилие извлечения карты: 13,8 Н Максимальная сила нажатия: 19,6 Н Максимальная долговечность: 10000 циклов. Рабочая температура: от -45ºC до +85ºC Электрические: Напряжение: 100 В переменного тока Ток: 0,5 А Максимальное сопротивление контакта: 100 мОм Максимальная выдерж...

Разъем для карты Nano SIM; Push-PULL, 6 контактов, высота 1,40 мм KLS1-SIM-113

Изображения продукта Информация о продукте Разъем для карты Nano SIM; Push Pull, 6 контактов, высота 1,40 мм Материал: Изолятор: ЖК-полимерный, UL94V-0. Контакты: C5210. Покрытие 50 мкм Ni в целом, все контакты Au 1u. Корпус: SUS, покрытие 50 мкм Ni в целом, подкладка Au 1u. Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5 А переменного/постоянного тока макс. Номинальное напряжение: 30 В переменного/постоянного тока Сопротивление контактов: 30 мОм Макс. Сопротивление изоляции: 1000 МОм Мин. рабочая температура: от -45ºC до +85ºC

Разъем для карты Nano SIM, PUSH PUSH, 6 контактов, высота 1,37 мм, с разъемом CD KLS1-SIM-066

Изображения продукта Информация о продукте Разъем для карты Nano SIM, PUSH PUSH, 6 контактов, высота 1,37 мм, с контактом CD Материал: Изолятор: высокотемпературный термопластик, UL94V-0. Контакты: медный сплав, покрытие 50u” Ni в целом, прокладка Au 1u”. Корпус: нержавеющая сталь, все Ni 30U/мин. Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5 А Номинальное напряжение: 5 В переменного/постоянного тока Сопротивление контактов: 100 мОм Макс. Сопротивление изоляции: 1000 МОм Мин./500 В постоянного тока Рабочая температура: от -45ºC до +85ºC

Разъем для карты Nano SIM, PUSH PUSH, 6 контактов, высота 1,25 мм, с разъемом CD KLS1-SIM-103

Изображения продукта Информация о продукте Разъем для карты Nano SIM, PUSH PUSH, 6 контактов, H1.25 мм, с CD-контактом Материал: Контакты: медный сплав. Au на никеле. Корпус: стеклонаполненный ЖК-дисплей. Оболочка: нержавеющая сталь. Au на никеле. Рамка заземления: медный сплав. Au на никеле. Переключатель обнаружения: медный сплав. Au на никеле. Ползунок: стеклонаполненный Pa10t. Пружина: нержавеющая сталь. Крючок: нержавеющая сталь. Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5 А Максимальное номинальное напряжение: 30 В переменного тока Сопротивление контакта: 100 мОм Максимальное сопротивление изоляции: 1000 МОм Мин./500 В постоянного тока Выдерживаемое напряжение диэлектрика: 500...

Разъем для карты Nano SIM, лотковый, 6-контактный, высота 1,55 мм, с CD-контактом KLS1-SIM-104

Изображения продукта Информация о продукте Разъем для карты Nano SIM, лоткового типа, 6-контактный, высота 1,55 мм, с CD-контактом Электрические характеристики: Номинальный ток: 1 А/контакт макс. Напряжение: 30 В постоянного тока макс. Сопротивление контакта низкого уровня: 30 мОм макс. Начальное. Выдерживаемое напряжение диэлектрика: 500 В переменного тока мин. в течение 1 минуты. Сопротивление изоляции: 100 МОм мин. 500 В постоянного тока в течение 1 минуты. Срок службы: 1500 циклов. Рабочая температура: от -45ºC до +85ºC

Разъем для карты Nano SIM, лотковый, 6-контактный, высота 1,5 мм, с CD-контактом KLS1-SIM-102

Изображения продукта Информация о продукте Разъем для карты Nano SIM, лоткового типа, 6-контактный, высота 1,5 мм, с CD-контактом Электрические характеристики: Номинальный ток: 1 А/контакт макс. Напряжение: 30 В постоянного тока макс. Сопротивление контакта низкого уровня: 30 мОм макс. Начальное. Выдерживаемое напряжение диэлектрика: 500 В переменного тока мин. в течение 1 минуты. Сопротивление изоляции: 100 МОм мин. 500 В постоянного тока в течение 1 минуты. Долговечность: 1000 циклов. Рабочая температура: от -45ºC до +85ºC

Разъем для карты Nano SIM; тип MID Mount Tray, 6 контактов, высота 1,5 мм, с CD-контактом KLS1-SIM-100

Изображения продукта Информация о продукте Разъем для карты Nano SIM; крепление MID Tray type, 6 контактов, высота 1,5 мм, с CD Pin Материал: Пластик: LCP, UL94V-0. Черный. Контакты: C5210 Корпус: SUS304 Лоток: LCP, UL94V-0. Черный. Покрытие: Контакты: Контактная область: G/F покрытие; Область пайки: 80 мкм Матовое олово Корпус: Покрытие поверх 30 мкм Ni Пригодно для пайки 30 мкм Ni покрытие по всей поверхности. Копланарность контактов и выводов должна быть 0,10 мм.
<< < Предыдущая266267268269270271272Далее >>> Страница 269 / 313
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.