Разъем для карты Micro SIM, 6P + 1P с переключателем, PUSH PUSH, высота 1,29 мм KLS1-SIM-093
Изображения продукта Информация о продукте Разъем для карты Micro SIM, 6P + 1P с переключателем, PUSH PUSH, H1.29mm Материал: Корпус: высокотемпературный термопластик, UL94V-0 Контакты: медный сплав, Au 1u”, область пайки: золотое напыление; нижняя пластина Ni 40u” мин. по всей поверхности Корпус: нержавеющая сталь, покрытие 30U”, общая область пайки: золотое напыление Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5A Номинальное напряжение: 50 В постоянного тока Макс. сопротивление контакта: 100 мОм Макс. выдерживаемое напряжение диэлектрика: 500 В переменного тока Сопротивление изоляции: 1000 МОм мин./250 В постоянного тока Рабочее...
Разъем для карты Micro SIM, 8P + 1P с переключателем, PUSH PUSH, высота 1,56 мм KLS1-SIM-094
Изображения продукта Информация о продукте Разъем для карты Micro SIM, 8P + 1P с переключателем, PUSH PUSH, H1.56 мм Материал: Корпус: высокотемпературный термопластик, UL94V-0 Контакты: медный сплав, Au 1u”, область пайки: золотое напыление; нижняя пластина Ni 40u” мин. по всей поверхности Корпус: нержавеющая сталь, с покрытием 30U” Ni в целом, область пайки: золотое напыление Электрические характеристики: Номинальный ток: 1,0 А Номинальное напряжение: 50 В Сопротивление контактов: 100 мОм Макс. выдерживаемое напряжение диэлектрика: 500 В переменного тока Сопротивление изоляции: 1000 МОм мин. / 250 В постоянного тока Рабочие температуры:
Разъем для карты Micro SIM, 8P + 2P, PUSH PUSH, высота 1,28 мм KLS1-SIM-095
Изображения продукта Информация о продукте Разъем для карты Micro SIM, 8P + 2P, PUSH PUSH, H1.28 мм Материал: Изолятор: высокотемпературный термопластик, UL94V-0, черный. Контакты: медный сплав, золото или никель. Корпус: нержавеющая сталь, золото или никель. Область пайки: матовое олово 80u”, покрытая золотом. Электрические характеристики: Номинальный ток: 1 А Номинальное напряжение: 30 В Сопротивление контакта: 100 мОм Макс. Сопротивление изоляции: 1000 МОм Мин./500 В постоянного тока Выдерживаемое напряжение диэлектрика: 500 В переменного тока Циклы сопряжения: 5000 подключений Рабочая температура...
Разъем для карты Micro SIM, 8P + 1P, PUSH PUSH, высота 3,65 мм KLS1-SIM-096
Изображения продукта Информация о продукте Разъем для карты Micro SIM, 8P + 1P, PUSH PUSH, H3.65 мм Материал: Корпус: высокотемпературный термопластик, UL94V-0, черный. Терминалы: медный сплав. Контакты: покрытие GF Корпус: нержавеющая сталь. Покрытие слайдера: Au: 1u”, Ni: 30u” Мин. Электрические характеристики: Номинальный ток: 1,0 А Номинальное напряжение: 50 В Сопротивление контакта: 100 мОм Макс. Сопротивление изоляции: 1000 МОм Мин./500 В постоянного тока Выдерживаемое напряжение диэлектрика: 500 В переменного тока Влажность: 80% относительной влажности Макс. Долговечность: 5000 циклов Мин. эксплуатация...
Разъем для карты Micro SIM, 6P + 1P, PUSH PUSH, высота 1,85 мм, крепление MID (обратное) KLS1-SIM-097
Изображения продукта Информация о продукте Разъем для карты Micro SIM, 6P + 1P, PUSH PUSH, H1.85 мм, обратное крепление MID Материал: Изолятор: высокотемпературный термопластик, UL94V-0, черный. Контакты: медный сплав. Покрытие 30u” Ni в целом, область пайки: олово, контактная G/F Корпус: нержавеющая сталь, 30u” Ni в целом, селективная контактная область G/F. Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5 А макс. Номинальное напряжение: 50 В постоянного тока макс. Диапазон влажности окружающей среды: 95% отн. влажности. Максимальное сопротивление контакта: 100 мОм. Максимальное сопротивление изоляции: 1000 МОм мин./250 В...
[Копия] Разъем для карты Micro SIM, 6P + 1P, PUSH PUSH, высота 1,85 мм, крепление с обратной стороны корпуса KLS1-SIM-097
Изображения продукта Информация о продукте Разъем для карты Micro SIM, 6P + 2P с переключателем, PUSH PUSH, H1.27 мм ПРИМЕЧАНИЕ 1. Копланарность выводов: макс. 0,08 мм 2. Отсутствие ржавчины, загрязнения, повреждения или деформации, влияющих на функцию 3. Подвижная область переключателя 4. Некумулятивный допуск 5. Чертеж схемы переключателя Материал: A: Базовый изолятор: ЖКП, черный. B: Крышка: нержавеющая сталь, не удерживать: никель; удерживать: золотое покрытие поверх никеля. C: Контактная клемма: медный сплав, золото поверх никеля D: Пластина CAM: медный сплав, никель. E: Слайдер CAM: ЖКП, черный...
6P+2P с переключателем разъема SIM-карты, шарнирного типа, H2.5 мм KLS1-SIM-010B
Изображения продукта Информация о продукте 6P + 2P с переключателем Разъем для SIM-карты, шарнирного типа, H2,5 мм Информация о заказе: KLS1-SIM-010B-H2.5-8P-1-R Контакты: 6 + 2 контакта с переключателем 1 = Без штифта R = Упаковка в рулоне T = Упаковка в трубке Материал: Корпус изолятора: ЖК-панель. Цвет: черный Контакты: фосфорная бронза Покрытие: Отделка: оловянное золото или дуплексное покрытие. Стандарт: золотое 3u" по всему никелю Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5 А. Выдерживаемое напряжение диэлектрика: 500 В переменного тока Сопротивление изоляции: 1000 МОм Минимальное сопротивление контакта: 30 мОм ...6P+2P с разъемом для SIM-карты, шарнирного типа, H2.5 мм KLS1-SIM-012C
Изображения продукта Информация о продукте 6P+2P с переключателем Разъем для SIM-карты, шарнирного типа, H2,5 мм Информация о заказе: KLS1-SIM-012C-6+2P-R Контакты: 6+2 контакта с переключателем R = Упаковка в рулоне T = Упаковка в трубке Материал: Корпус: ЖК-дисплей UL94V-0 Контактная клемма: фосфористая бронза Металлический корпус: нержавеющая сталь SUS304 Покрытие: Покрытие контактной клеммы Площадь контакта: 5 мкдюймов Золото Площадь пайки: 100 мкдюймов Олово снизу: 50 мкдюймов Никель сверху Электрические характеристики: Номинальное напряжение: 50 В макс. Номинальный ток: 1 А макс.
Двойной разъем для SIM-карты, PUSH PULL, высота 3,0 мм KLS1-SIM2-002A
Изображения продукта Информация о продукте Двойной разъем для SIM-карты, нажимной, высота 3,0 мм Материал: Корпус: высокотемпературный пластик, UL94V-0. черный. Клемма: медный сплав Корпус: нержавеющая сталь Отделка: Клемма: золотое покрытие на контактной площадке, матовое лужение на припойных выводах с покрытием из никеля Корпус: золотое покрытие на припойных выводах с покрытием из никеля Электрические характеристики: Контактное сопротивление: 50 мОм Максимальное выдерживаемое напряжение: 350 В переменного тока (среднеквадратичное значение) в течение 1 минуты Сопротивление изоляции: 1000 МОм ...
Разъем для карт Micro SIM и SD 2 в 1, 8 контактов, высота 2,26 мм KLS1-SIM-109
Изображения продукта Информация о продукте Разъем для карт Micro SIM и SD 2 в 1, 8 контактов, высота 2,26 мм Материал: Изолятор: высокотемпературный термопластик, UL94V-0. Черный. Терминалы: медный сплав, позолота в контактной зоне 1u”, позолота в области пайки 1u”. Верхняя часть корпуса: нержавеющая сталь, никелевое покрытие 50u”. Нижняя часть корпуса: SUS304 R-1/2H T=0,10 мм, никелевое покрытие 50u”. Электрические характеристики: усилие вставки 1 кгс макс. усилие извлечения 0,1 кгс мин. Долговечность: SIM 5000 циклов, сопротивление контактов: до тестирования 80 мОм макс., после...
Двойной разъем для SIM-карты, Push-PULL, высота 3,0 мм KLS1-SIM-033
Изображения продукта Информация о продукте Двойной разъем для SIM-карт, двухтактный, высота 3,0 мм Материал: Корпус: термостойкий пластик, UL94V-0, черный. Клеммы: медный сплав. Позолоченные контакты и 50-микронное никелевое покрытие по всей поверхности. Корпус: нержавеющая сталь. Позолоченные контакты толщиной 50 микродюймов по всей поверхности, золотое покрытие на контактной площадке. Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5 А. Номинальное напряжение: 5,0 В (среднеквадратичное значение). Сопротивление изоляции: не менее 1000 МОм при постоянном токе 500 В. Выдерживаемое напряжение: 250 В переменного тока (среднеквадратичное значение) в течение 1 минуты. Контакты...
2 в 1 SIM-карта + разъем Micro SD, PUSH PULL, высота 2,7 мм KLS1-SIM-024
Изображения продукта Информация о продукте 2 в 1 SIM-карта + разъем Micro SD, PUSH PULL, H2.7mm Электрические: Напряжение: 100 В переменного тока Ток: 0,5 А Максимальное сопротивление контакта: 100 мОм Максимальное выдерживаемое напряжение диэлектрика: 500 В переменного тока. Сопротивление изоляции: 1000 МОм Минимальные механические: Усилие извлечения карты: 13,8 Н Максимальная сила нажатия: 19,6 Н Максимальная долговечность: 10000 циклов. Рабочая температура: от -45ºC до +85ºC Электрические: Напряжение: 100 В переменного тока Ток: 0,5 А Максимальное сопротивление контакта: 100 мОм Максимальная выдерж...
Разъем для карты Nano SIM; Push-PULL, 6 контактов, высота 1,40 мм KLS1-SIM-113
Изображения продукта Информация о продукте Разъем для карты Nano SIM; Push Pull, 6 контактов, высота 1,40 мм Материал: Изолятор: ЖК-полимерный, UL94V-0. Контакты: C5210. Покрытие 50 мкм Ni в целом, все контакты Au 1u. Корпус: SUS, покрытие 50 мкм Ni в целом, подкладка Au 1u. Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5 А переменного/постоянного тока макс. Номинальное напряжение: 30 В переменного/постоянного тока Сопротивление контактов: 30 мОм Макс. Сопротивление изоляции: 1000 МОм Мин. рабочая температура: от -45ºC до +85ºC
Разъем для карты Nano SIM, PUSH PUSH, 6 контактов, высота 1,37 мм, с разъемом CD KLS1-SIM-066
Изображения продукта Информация о продукте Разъем для карты Nano SIM, PUSH PUSH, 6 контактов, высота 1,37 мм, с контактом CD Материал: Изолятор: высокотемпературный термопластик, UL94V-0. Контакты: медный сплав, покрытие 50u” Ni в целом, прокладка Au 1u”. Корпус: нержавеющая сталь, все Ni 30U/мин. Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5 А Номинальное напряжение: 5 В переменного/постоянного тока Сопротивление контактов: 100 мОм Макс. Сопротивление изоляции: 1000 МОм Мин./500 В постоянного тока Рабочая температура: от -45ºC до +85ºC
Разъем для карты Nano SIM, PUSH PUSH, 6 контактов, высота 1,25 мм, с разъемом CD KLS1-SIM-103
Изображения продукта Информация о продукте Разъем для карты Nano SIM, PUSH PUSH, 6 контактов, H1.25 мм, с CD-контактом Материал: Контакты: медный сплав. Au на никеле. Корпус: стеклонаполненный ЖК-дисплей. Оболочка: нержавеющая сталь. Au на никеле. Рамка заземления: медный сплав. Au на никеле. Переключатель обнаружения: медный сплав. Au на никеле. Ползунок: стеклонаполненный Pa10t. Пружина: нержавеющая сталь. Крючок: нержавеющая сталь. Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5 А Максимальное номинальное напряжение: 30 В переменного тока Сопротивление контакта: 100 мОм Максимальное сопротивление изоляции: 1000 МОм Мин./500 В постоянного тока Выдерживаемое напряжение диэлектрика: 500...
Разъем для карты Nano SIM, лотковый, 6-контактный, высота 1,55 мм, с CD-контактом KLS1-SIM-104
Изображения продукта Информация о продукте Разъем для карты Nano SIM, лоткового типа, 6-контактный, высота 1,55 мм, с CD-контактом Электрические характеристики: Номинальный ток: 1 А/контакт макс. Напряжение: 30 В постоянного тока макс. Сопротивление контакта низкого уровня: 30 мОм макс. Начальное. Выдерживаемое напряжение диэлектрика: 500 В переменного тока мин. в течение 1 минуты. Сопротивление изоляции: 100 МОм мин. 500 В постоянного тока в течение 1 минуты. Срок службы: 1500 циклов. Рабочая температура: от -45ºC до +85ºC
Разъем для карты Nano SIM, лотковый, 6-контактный, высота 1,5 мм, с CD-контактом KLS1-SIM-102
Изображения продукта Информация о продукте Разъем для карты Nano SIM, лоткового типа, 6-контактный, высота 1,5 мм, с CD-контактом Электрические характеристики: Номинальный ток: 1 А/контакт макс. Напряжение: 30 В постоянного тока макс. Сопротивление контакта низкого уровня: 30 мОм макс. Начальное. Выдерживаемое напряжение диэлектрика: 500 В переменного тока мин. в течение 1 минуты. Сопротивление изоляции: 100 МОм мин. 500 В постоянного тока в течение 1 минуты. Долговечность: 1000 циклов. Рабочая температура: от -45ºC до +85ºC
Разъем для карты Nano SIM; тип MID Mount Tray, 6 контактов, высота 1,5 мм, с CD-контактом KLS1-SIM-100
Изображения продукта Информация о продукте Разъем для карты Nano SIM; крепление MID Tray type, 6 контактов, высота 1,5 мм, с CD Pin Материал: Пластик: LCP, UL94V-0. Черный. Контакты: C5210 Корпус: SUS304 Лоток: LCP, UL94V-0. Черный. Покрытие: Контакты: Контактная область: G/F покрытие; Область пайки: 80 мкм Матовое олово Корпус: Покрытие поверх 30 мкм Ni Пригодно для пайки 30 мкм Ni покрытие по всей поверхности. Копланарность контактов и выводов должна быть 0,10 мм.
Разъем для карты Nano SIM, 6 контактов, высота 1,4 мм, шарнирного типа, с CD-контактом KLS1-SIM-101
Изображения продукта Информация о продукте Разъем для карты Nano SIM, 6 контактов, высота 1,4 мм, шарнирного типа, с CD-контактом Материал: Корпус: высокотемпературный термопластик, UL94V-0, черный. Терминалы: медный сплав, позолота на контактной площадке и выводах под пайку, никель по всей поверхности. Корпус: нержавеющая сталь, позолота на выводах под пайку, никель по всей поверхности. Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5 А Макс. номинальное напряжение: 30 В переменного тока Сопротивление контактов: 100 мОм Макс. Сопротивление изоляции: 1000 МОм Мин./500 В постоянного тока Диэлектрическая прочность...
Разъем для карты Nano SIM, 6 контактов, высота 1,4 мм, шарнирного типа, с CD-контактом KLS1-SIM-077A
Изображения продукта Информация о продукте Разъем для карты Nano SIM, 6-контактный, H1,4 мм, шарнирного типа, с CD-контактом Материал: Изолятор: высокотемпературный термопластик, UL94V-0. Контакты: медный сплав, покрытый 50u” Ni Общий контакт Все Au 1U. Корпус: SUS. Все Ni 30U MIN. Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5 А AC/DC MAX. Номинальное напряжение: 125 В AC/DC Диапазон влажности окружающей среды: 95% RH. Максимальное сопротивление контакта: 80 мОм Максимальное сопротивление изоляции: 100 МОм Мин./100 В DC Циклы сопряжения: 5000 подключений. Рабочая температура: -45ºC ~ +85...
Разъем для карты Nano SIM, 6 контактов, высота 1,4 мм, шарнирного типа, без разъема CD KLS1-SIM-077
Изображения продукта Разъем для карты Nano SIM, 6-контактный, H1,4 мм, шарнирного типа, без контакта CD Материал: Изолятор: высокотемпературный термопластик, UL94V-0. Контакты: C5210, покрытый 50u” Ni Общий контакт Все Au 1U. Корпус: SUS. Все Ni 30U/мин. Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5 А Номинальное напряжение: 5 В переменного/постоянного тока Диапазон влажности окружающей среды: 95% отн. влажн. Макс. сопротивление контакта: 80 мОм Макс. сопротивление изоляции: 100 МОм Мин./100 В постоянного тока Циклы сопряжения: 10000 подключений. Рабочая температура: от -45ºC до +85ºC Разъем для карты Nano SIM, 6-контактный, H1....
Разъем для карты Nano SIM, двухтактный, 6-контактный, высота 1,4 мм, с разъемом CD KLS1-SIM-092
Изображения продукта Информация о продукте Разъем для карты Nano SIM, двухтактный, 6 контактов, высота 1,4 мм, с контактом CD Материал: Корпус: высокотемпературный термопластик, UL94V-0. Черный. Терминал: медный сплав, селективное 1u” золотое покрытие на контактной площадке. Корпус: нержавеющая сталь. селективное золотое напыление на пайке. Электрические характеристики: номинальный ток: 0,5 А, макс. номинальное напряжение: 30 В переменного тока, контактное сопротивление: 100 мОм, макс. сопротивление изоляции: 1000 МОм, мин./500 В постоянного тока, выдерживаемое напряжение диэлектрика: 500 В переменного тока/минуту. Долговечность: 5000 циклов. Рабочая температура...
Разъем для карты Nano SIM; Push-PULL, 6 контактов, высота 1,35 мм KLS1-SIM-076
Изображения продукта Информация о продукте Разъем для карты Nano SIM; Push Pull, 6 контактов, высота 1,35 мм Материал: Изолятор: высокотемпературный термопластик, UL94V-0. Контакты: C5210. Покрытие 50u” Ni в целом, контакты все Au 1u. Корпус: SUS, покрытие 50u” Ni в целом, PAD Au 1u. Электрические характеристики: Номинальный ток: 0,5 А переменного/постоянного тока макс. Номинальное напряжение: 125 В переменного/постоянного тока Сопротивление контактов: 100 мОм Макс. Сопротивление изоляции: 1000 МОм Мин. 500 В постоянного тока Рабочая температура: от -45ºC до +85ºC
Разъем для карты Nano SIM; Push-PULL, 6-контактный, высота 1,2 мм KLS1-SIM-D01
Изображения продукта Информация о продукте Материал: Корпус: высокотемпературный термопластик, UL94V-0, черный Контакты: медный сплав 0,10T, золотое напыление на контактной области и области пайки 50U”, мин. никелевое покрытие под оболочкой: нержавеющая сталь 0,10T, никелевое покрытие по всей поверхности Электрические характеристики: Номинальный ток: 1 А Сопротивление контакта: 100 мОм Макс. сопротивление изоляции: 500 МОм Мин. выдерживаемое напряжение диэлектрика: 500 В RMS Минимальный ресурс: 1500 циклов- English
- French
- German
- Portuguese
- Spanish
- Russian
- Japanese
- Korean
- Arabic
- Irish
- Greek
- Turkish
- Italian
- Danish
- Romanian
- Indonesian
- Czech
- Afrikaans
- Swedish
- Polish
- Basque
- Catalan
- Esperanto
- Hindi
- Lao
- Albanian
- Amharic
- Armenian
- Azerbaijani
- Belarusian
- Bengali
- Bosnian
- Bulgarian
- Cebuano
- Chichewa
- Corsican
- Croatian
- Dutch
- Estonian
- Filipino
- Finnish
- Frisian
- Galician
- Georgian
- Gujarati
- Haitian
- Hausa
- Hawaiian
- Hebrew
- Hmong
- Hungarian
- Icelandic
- Igbo
- Javanese
- Kannada
- Kazakh
- Khmer
- Kurdish
- Kyrgyz
- Latin
- Latvian
- Lithuanian
- Luxembou..
- Macedonian
- Malagasy
- Malay
- Malayalam
- Maltese
- Maori
- Marathi
- Mongolian
- Burmese
- Nepali
- Norwegian
- Pashto
- Persian
- Punjabi
- Serbian
- Sesotho
- Sinhala
- Slovak
- Slovenian
- Somali
- Samoan
- Scots Gaelic
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tajik
- Tamil
- Telugu
- Thai
- Ukrainian
- Urdu
- Uzbek
- Vietnamese
- Welsh
- Xhosa
- Yiddish
- Yoruba
- Zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turkmen
- Uyghur